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日立能源 門極可關斷晶閘管 GTO

日立能源 門極可關斷晶閘管 GTO
門極可關斷雙向可控硅(GTO)的分娩歸于19個世紀80年間階段性。GTO是雙向可控硅的其中的其中一種,也可以順利通過門極釋放反向的方式給回端電壓電流大小使其關斷。 門極可關斷雙向可控硅(GTO)為建立低通態損耗率優化網絡構思的。越來越多軟件下,具代表性的轉化開關按鈕頻次位置均在200至500赫茲。GTO原本性狀在于,還是同一個比較緩緩的轉化開關按鈕。 從打到關及從關到開壯態的具代表性轉化頻次是10-30微秒。一切GTO在開和關時都標準有被是指”制動器器“ 的呵護網。啟閉制動器線路,根本性是同一個傳感器器,限止了端電壓電流大小下降率。關斷制動器線路,根本性是同一個電容(電容器),限止了端電壓下降率。 一切ABB的GTO是壓裝配件。利用科學合理高超壓,與使用在電率華為設備電連接的cpu熱管散熱器壓裝在一齊。
 

非對稱性的GTO分為兩類:內置緩沖層型和標準配置型。內置緩沖層型GTO具有出眾的低導通和低動態損耗。其中5SGF精密型針對快速切換優化設計,5SGT透明發射極型針對低導通損耗優化設計。標準配置型GTO完美平衡了導通和開關損耗。
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類型VDRM (V)VDC (V)ITGQM  @  Cs (A)ITGQM  @  Cs (μF)內包裝* (mm)
標準
250014001500375/47
250014002000493/63
250014002500693/63
2500140030005108/75
45002800600158/34
450022002000493/63
4500280030006108/75
4500280040006120/85

*注解:明面直徑怎么算/的外殼的高度
 

類型VDRM (V)VDC (V)ITGQM @
Cs (A)
ITGQM @ Cs(μF)包裝* (mm)
緩沖層
4500300030003108/75
4500280040006120/85

*注(zhu)解:工作臺面內徑/殼體程(cheng)度(du)

 

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