• 一般的可以操控的硅（可以操控的硅）（PCT）

詳細介紹：

IGBT一般來說當做相控電流大小值閥用以聊天變直流電源變壓器及直流電源變壓器變聊天的變換，并在較低的聲音幾率中執行（基本都都會聊天聲音幾率）。 在導通睡眠狀態下，IGBT低損耗率基本特性，可以可行的把控好大電流大小值和高能效等級，而成了觀眾震憾的電子元器件。我很多的IGBT還是壓接式電子元器件。用比較的直流高壓力把IGBT壓裝到熱管散熱器片上，作電觸頭無線傳輸到IGBT的末端上去。欲資源下載和直接打印PDF數據顯示表，請點擊進入服務款型。 

  

• 交叉雙向晶閘管（BCT）

簡介：

改革創新技術交叉雙向可控硅（ＢＣＴ）亮點就是：將5個人反串聯雙向可控硅集成型在這個的外殼中。這5個人反串聯雙向可控硅兼有單單捕獲與其分割部位的亮點，使涉及到動態性性能特點的分割零件設計構思的高壓變壓器專用設備進而實現了。雙邊可控硅（ＢＣＴ）從的設計，種植和論文檢測均體現了同時的宗旨，新技術和系統沒收違法所得不斷完善的正規可控硅種植，以至于是可以高達完全相同總體水平的的性能和牢靠性。

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• 快可控硅 FT

當物(wu)品應該用幀率超過聯絡主電(dian)開關(guan)電(dian)工(gong)頻（比如說50赫茲或60赫茲）時(shi)，雙(shuang)(shuang)向(xiang)可控硅(gui)應包括更短的關(guan)斷時(shi)候tq。快捷雙(shuang)(shuang)向(xiang)可控硅(gui)是是為(wei)了升級(ji)優化關(guan)斷技(ji)術(shu)參數和應該用在電(dian)開關(guan)電(dian)電(dian)開關(guan)上而規劃的。

 

• 和逆導IGBT RCT

區(qu)別(bie)于一(yi)般的大功(gong)率(lv)晶閘管，逆(ni)導(dao)型晶閘管（RCT）具(ju)有一(yi)個集成的反向(xiang)二極管，正因為這個原因，因此它不具(ju)備反向(xiang)阻斷。那些元(yuan)件的優點(dian)在(zai)應該食(shi)用續(xu)流場效應管時(shi)取得(de)集中體現，是(shi)因為SCR和(he)場效應管不一(yi)時(shi)導(dao)通而時(shi)所產生脂肪(fang)含(han)量，同一(yi)律整合在(zai)我(wo)們一(yi)起(qi)使急冷看上去簡易。

逆(ni)導(dao)IGBT常通常應用軟件在直流變頻和(he)升壓器(qi)上。